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  • 铝碳化硅在航天领域中的应用

    铝碳化硅在航天领域中的应用

    铝基碳化硅是一种颗粒增强金属基复合材料,采用铝合金作基体,用碳化硅颗粒作增强体,构成有明显界面的多组相复合材料,兼具单一金属不具备的综合优越性能。铝基碳化硅具有高韧性、高塑性,还兼具碳化硅颗粒的高硬度、高模量等优点,并且热导率高,还有可调的热膨胀系数,是新一代电子封装材料,在电子领域发挥着极大的作用。但是铝基碳化硅因特性导致其加工难度高,间接限制了它的应用范围,而钧杰陶瓷能有效加工这种材料。近几年,铝基碳化硅作为结构件也在航天领域中有了一定应用,而且前景一篇“光明”。铝基碳化硅在战斗机中的应用在

  • 铝碳化硅产品设计有哪些呢

    铝碳化硅产品设计有哪些呢

    ◆板类产品用 AlSiC 制成各种板类的产品,用于各类电路的热沉、基板、 封盖、过渡片等,可替代目前在使用的氧化铍、氮化铝、钼片、钨铜合 金及其它金属材料。板类产品,可分为裸材和表面覆铝。◇产品成型尺寸长度宽度厚度外形加工内部加工最大24524510可加工各种形状可打孔、攻丝、台阶孔等最小330.5在特殊要求下,可以制造最大245*350*80mm 的材料,但制造成本将会很高。过厚的材料内部致密度会受到影响。最大尺寸可以是裸材或表面覆铝,也可在裸材或表面铝上加工各种形状(拱面,伞面等);最小尺寸一般为裸材,在特殊条件下,厚度可加工

  • 你了解铝碳化硅吗

    你了解铝碳化硅吗

    铝碳化硅 AlSiC (Al/SiC, SiC/Al) 是一种颗粒增强铝基复合材料,采用铝合金作为基体,SiC作为增强体,充分结合了陶瓷和金属铝的不同优势,实现了封装了轻便化、高密度化等要求。AlSiC密度在2.95~3.1g/cm3之间,热膨胀系数(CTE)6.5~9ppm/℃,具有可调的体积分数,提高碳化硅体积分数可以使材料的热膨胀系数显著降低。同时,铝碳化硅还具有高的热导率和比刚度,表面能够镀镍、金、银、铜,具有良好的镀覆性能。密度(g/cm3)≥2.95热导率((W/m.K) @25℃)200线膨胀系数(CTE) ppm/℃6.5~9弹性模量(G Pa)200抗弯强度(MPa)400电阻率(μΩ·c

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  • 铝碳化硅的应用领域(下)

    铝碳化硅的应用领域(下)

    热沉、基板铝碳化硅用于电子芯片(专用集成电路)以及电源模块的散热片,微处理器盖板及散热器;电脑芯片(CPU)和服务器芯片(MPU)的盖板或底层散热片。◆外形结构简单,却有超强的散热能力◆具有与不同基体相匹配的热膨胀系数及高的热导率◆优良的高温稳定性及均一性◆表面处理◇表面镀镍、金、银等结构件铝碳化硅在抗热形变结构件、耐磨结构件、轻量化航空、航天结构件,在机器人领域等也已经得到应用。例:导波管承载支架,链齿轮◆铝碳化硅质轻、坚硬、抗压强度高、耐磨、抗冲击、热形变小◆复杂的结构件可以净成型或近净成型◆可在某

  • 铝碳化硅的应用领域(上)

    铝碳化硅的应用领域(上)

    功率模块铝碳化硅底板封装的IGBT产品广泛应用于高铁、地铁、新能源汽车、风力发电等领域,用来替代铜、铝底板,能大大提高功率器件的可靠性。◆热膨胀◇热膨胀系数与半导体芯片和陶瓷基片有良好的匹配性◇高的热循环(相比铜的热循环,其上万次热循环,模块仍然工作良好)◆高热导率◇最低180W/mK @25℃◆密度小质量轻◇只有铜的1/3 ◇最低2.95g/cm3◆刚度大、强度高◆表面设计成一平面和一拱面◇平面上进行芯片的焊接,拱面与散热器连接◆标准尺寸或自由设计尺寸◆低成本有槽、孔的铸造方案◆pin铸造成型◇多齿设计◇圆锥形、菱形、椭圆形

  • 铝碳化硅(AlSiC)复合材料-- IGBT基板

    铝碳化硅(AlSiC)复合材料-- IGBT基板

    大电流IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块在工作时,会产生大量的热。尤其是工作电流达到600A以上的IGBT模块。类似功率模块的封装热管理工艺中,考虑的目标是消除热结。那么,需要在芯片底部和散热器之间的热通道建设尽量畅通。铜基板具有良好的导热能力,但铜的热膨胀系数接近IGBT芯片的三倍,而且IGBT芯片陶瓷衬底的面积可高达50mmx60mm,这三倍的差异在低功率模块封装可用陶瓷覆铜板或多层陶瓷覆铜板来过渡解决。高功率模块如果用铜基板去承载芯片衬底同时在下方接合散热器的话,焊接的铜基板经受不住1000次热循环,焊接外缘就会出现分层脱

相关知识

铝碳化硅 AlSiC (Al/SiC, SiC/Al) 是一种颗粒增强铝基复合材料,采用铝合金作为基体,SiC作为增强体,充分结合了陶瓷和金属铝的不同优势,实现了封装了轻便化、高密度化等要求。

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