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你了解铝碳化硅吗

铝碳化硅 AlSiC (Al/SiC, SiC/Al) 是一种颗粒增强铝基复合材料,采用铝合金作为基体,SiC作为增强体,充分结合了陶瓷和金属铝的不同优势,实现了封装了轻便化、高密度化等要求。

AlSiC密度在2.95~3.1g/cm3之间,热膨胀系数(CTE)6.5~9ppm/℃,具有可调的体积分数,提高碳化硅体积分数可以使材料的热膨胀系数显著降低。同时,铝碳化硅还具有高的热导率和比刚度,表面能够镀镍、金、银、铜,具有良好的镀覆性能。

密度(g/cm3)

2.95

热导率((W/m.K) @25℃)

200

线膨胀系数(CTE) ppm/℃

6.5~9

弹性模量(G Pa)

200

抗弯强度(M Pa)

400

电阻率(μΩ·cm)

21

气密性(atm-cm3/s He)

<10-9

铝碳化硅复合材料的比刚度是所有电子材料中最高的:是铝的3倍,W-Cu和Kovar 的5倍,铜的25倍,另外铝碳化硅的抗震性好,因此是恶劣环境(震动较大,如航天、汽车等领域)下的首选材料。铝碳化硅复合材料已成为航空航天、国防、功率模块和其他电子元器件所需求的新型封装材料。用于航空航天微波、功率放大模块等电子器件及模块的封装壳体或底座。

与其他材料性能对比:

材料

成分

   密度(g/cm3)

热膨胀系数   (10-6/K)

  热导率(W/mK)

AlSiC

Al+(50%-70%)SiC

3.05

6-9

180-240

CuW

W+(10%-20%)Cu

15.6-17.0

6.5-8.3

180-200

CuMo

Mo+(15%-20%)Cu

10.00

7.0-8.0

160-170

AlSi

50%Al+50Si

2.55

11.4

126

Kovar

Fe+Ni

8.10

5.9

17

Cu


8.96

17.8

398

Al


2.70

23.6

238

Si


2.30

4.2

151

GaAs


5.23

6.5

54

Al2O3


3.60

6.7

17

BeO


2.90

7.6

250

AlN

98%purity

3.30

4.5

160-200 




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