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按结构设计需求,使增强材料SiC均匀地分布于基体中也是铝碳化硅材料制造中的关键技术之一。尤其是在低体份铝碳化硅搅拌法、真空压力浸渗法、粉末冶金法中,SiC颗粒的团聚,以及不同尺寸SiC颗粒均匀分布为一项难点。
查看详情按结构设计需求,使增强材料SiC均匀地分布于基体中也是铝碳化硅材料制造中的关键技术之一。尤其是在低体份铝碳化硅搅拌法、真空压力浸渗法、粉末冶金法中,SiC颗粒的团聚,以及不同尺寸SiC颗粒均匀分布为一项难点。
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